Abstract

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Technical Characteristics

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Procedure

Contact Persons

Abstract

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Technical Characteristics

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Procedure

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Contact Persons

Abstract

Technical Characteristics

Αντικείμενο του διαγωνισμού: Η επιλογή αναδόχου για το έργο «Προμήθεια αναλυτή ηλεκτρικού σήματος».
Τα προς προμήθεια είδη κατατάσσονται στους ακόλουθους κωδικούς του Κοινού Λεξιλογίου δημοσίων συμβάσεων (CPV): 38300000-8 (Όργανα μετρήσεων)
Αναθέτουσα Αρχή: Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας – Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ (ΙΗΔΛ ΙΤΕ), Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα
Υπηρεσία διενέργειας: Τμήμα Προμηθειών ΙΤΕ, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, 70013, Βασιλικά Βουτών, Ηράκλειο, Ελλάδα, Τηλ.: +30 2810 391515, -1516, -1572, -1235 FAX: +30 2810 391555, E-mail: procurement@admin.forth.gr.
Συνολικός προϋπολογισμός έργου: 34.650,00 €, μη συμπεριλαμβανομένου Φ.Π.Α.
Χρηματοδότηση του έργου: To έργο χρηματοδοτείται από την Πράξη Πράξη «INNOVATIVE POLYMER-BASED COMPOSITE SYSTEMS FOR HIGH-EFFICIENT ENERGY SCAVENGING AND STORAGE – InComEss, GA 862597, της Δράσης: «H2020-NMBP-ST-IND-2018-2020 / H2020-NMBP-ST-IND2019» που χρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση
Απόφαση Ανάληψης Υποχρέωσης: E070000559/18.06.2020, ΑΔΑ E070000559
Τόπος παράδοσης: Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Ηράκλειο Κρήτης
Δικαίωμα συμμετοχής έχει κάθε ενδιαφερόμενος, φυσικό ή νομικό πρόσωπο ή ένωση / κοινοπραξία αυτών που ασκούν δραστηριότητες σύμφωνα με το προκηρυσσόμενο έργο.
Κριτήρια αξιολόγησης προσφορών και κατακύρωσης: H πλέον συμφέρουσα από οικονομική άποψη προσφορά με βάση την βέλτιστη σχέση ποιότητας και τιμής.
Οι υποψήφιοι μπορούν να υποβάλουν προσφορές μόνον για το σύνολο του έργου, όπως ορίζει η ∆ιακήρυξη.
Εναλλακτικές προσφορές: δεν γίνονται δεκτές εναλλακτικές προσφορές.
Διάρκεια της σύμβασης : τρείς (3) μήνες από την υπογραφή της σύμβασης.
Τροποποίηση της σύμβασης. Η αναθέτουσα Αρχή διατηρεί το δικαίωμα τροποποίησης της σύμβαση, χωρίς νέα διαδικασία σύναψης σύμβασης, σύμφωνα με τους όρους και τις προϋποθέσεις του άρθρου 132, ν. 4412/2016 ΑΔΑ: 6Π81469ΗΚΥ-6ΙΕ 
Τα έγγραφα του διαγωνισμού και συμπληρωματικές πληροφορίες/διευκρινίσεις διατίθενται: α) ηλεκτρονικά μέσω της ιστοσελίδας του ΙΤΕ στην ηλεκτρονική διεύθυνση: https://www.forth.gr/index_main.php?c=45&l=g και β) από το Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Τμήμα Προμηθειών, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα, +30 2810 39-1515, -1516, -1572, -1235 FAX: +30 2810 391555, E-mail: procurement@admin.forth.gr όλες τις εργάσιμες ημέρες και ώρες.
Οι προσφορές υποβάλλονται στο Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Α’ όροφος –Κεντρική Διεύθυνση, Τμήμα Προμηθειών Γ292, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα, είτε ιδιοχείρως είτε µε συστημένη επιστολή ή ιδιωτικό ταχυδρομείο (courier) (με την απαραίτητη προϋπόθεση ότι θα περιέρχονται στην Υπηρεσία Διενέργειας μέχρι την ημέρα και ώρα διενέργειας του διαγωνισμού, με ευθύνη του Προσφέροντος)
Καταληκτική ημερομηνία υποβολής προσφορών ορίζεται η 07/07/2020, ημέρα Τρίτη και ώρα 12:00.
Ημερομηνία, ώρα και τόπος αποσφράγισης: 07/07/2020 ημέρα Τρίτη και ώρα 12:00, Τμ. Προμηθειών ΙΤΕ Γ292, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα. 18. Εγγυήσεις: Με την υπογραφή σύμβασης, εγγυητική επιστολή καλής εκτέλεσης όρων σύμβασης ύψους ποσοστού 5% της συνολικής συμβατικής αξίας του έργου χωρίς ΦΠΑ.
Παράδοση: Σύμφωνα µε τα οριζόμενα στη ∆ιακήρυξη.
Βασικοί τρόποι πληρωμής: Σύμφωνα µε τα οριζόμενα στη ∆ιακήρυξη.
Κατ’ ελάχιστον πληροφοριακά στοιχεία και διατυπώσεις σχετικά με την κατάσταση του κάθε υποψηφίου που θα απαιτηθούν για την αξιολόγηση: Όπως αναφέρονται στη Διακήρυξη
Περίοδος κατά την οποία ο υποψήφιος δεσμεύεται από την προσφορά του: τέσσερις (4) μήνες.
Γλώσσα του ∆ιαγωνισμού: Ελληνική.
Ημερομηνία Ανάρτησης της προκήρυξης στην ιστοσελίδα του ΙΤΕ (https://www.forth.gr/index_main.php?c=45&l=g) στο Πρόγραμμα ΔΙ@ΥΓΕΙΑ, στο ΚΗΜΔΗΣ: 23/06/2020.

Procedure

Contact Persons

Related Documents

• 4-perilipsi_analyser.pdf

Abstract

SnS crystals (Tin Sulfide), item:1

Tin Selenide (SnSe), item:1

Germanium Sulphide (GeS), item:1

Tungsten Disulfide (WS₂), item:1

Tungsten Diselenide (WSe₂), item:1

h-BN (Large size), item:1

Technical Characteristics

SnS crystals (Tin Sulfide), item:1 

Characteristics of vdW SnS crystals

Crystal size: 10mm or larger

Materials properties: Indirect gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal

Unit cell parameters: a = b = 0.368, c= 0.582 nm, α = β = 90⁰, γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional chemical vapor transport] Halide contamination is common

Purity: 99.9999% confirmed

Tin Selenide (SnSe), item:1 

SnSe single crystals characteristics

Crystal size: 1cm in size

Materials properties: Thermoelectric semiconductor (anisotropic semiconductor)

Crystal structure: Pnma [62]

Unit cell parameters: a = 0.421nm, b = 0.452 nm, c= 1.181 nm, α = β = γ = 90⁰

Growth method: Bridgman growth technique

Purity: 99.9999% confirmed

Germanium Sulphide (GeS), item:1 

Crystal size: Larger than 1cm

Materials properties: 1.65 eV semiconductor, anisotropic 2D material

Crystal structure: Orthorhombic

Unit cell parameters: a = 1.453, b = 0.365nm, c= 0.435 nm, α = β = γ =90⁰

Growth method: Flux zone (guaranteed no halide contamination)

                               [On request: chemical vapor transport (CVT) contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides]

Purity: 99.9999% confirmed

For the cases of Tin Sulfide (SnS), Tin Selenide (SnSe) and Germanium Sulphide (GeS), high quality bulk crystals are required for series of experiments. There are reports with different experimental results for these crystals indicating that products differ with respect to the company that develops them. We have preliminary results using crystals from “2D semiconductors” and for consistency we would like to purchase from the same company.

Tungsten Disulfide (WS₂), item:1 

Typical characteristics of WS2 crystals from 2Dsemiconductors

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 2.02 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.317nm, c= 1.230 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halidesPurity: 99.9999% confirmed

Purity: 99.9999% confirmed

Tungsten Diselenide (WSe₂), item:1 

Characteristics of WSe2 crystals from 2Dsemiconductors USA

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 1.62 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.331nm, c= 1.298 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides

Purity: 99.9999% confirmed

h-BN (Large size), item:1 

The properties of large size h-BN crystals

Sample size: Contains 3-4 crystals. Each measure < 5mm in size

Materials properties: 2D dielectric / insulator

Production method: Epitaxial solidification technique

Characterization method: SIMS, XRD, EDS, Raman (see product images)

For the cases of WS₂, WSe₂ and h-BN crystals, adding to consistency which is important to our experiments as we stated before, we would like to acquire crystals grown with flux zone method. We want to study the communication between flake of different crystals and it is reported that this phenomenon is more likely to happen for crystals grown with the referred method. “2D Semiconductors” offer high quality flux zone crystals that we think will be the optimal choice for our experiments.  

Procedure

SnS crystals (Tin Sulfide), item:1 

Characteristics of vdW SnS crystals

Crystal size: 10mm or larger

Materials properties: Indirect gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal

Unit cell parameters: a = b = 0.368, c= 0.582 nm, α = β = 90⁰, γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional chemical vapor transport] Halide contamination is common

Purity: 99.9999% confirmed

Tin Selenide (SnSe), item:1 

SnSe single crystals characteristics

Crystal size: 1cm in size

Materials properties: Thermoelectric semiconductor (anisotropic semiconductor)

Crystal structure: Pnma [62]

Unit cell parameters: a = 0.421nm, b = 0.452 nm, c= 1.181 nm, α = β = γ = 90⁰

Growth method: Bridgman growth technique

Purity: 99.9999% confirmed

Germanium Sulphide (GeS), item:1 

Crystal size: Larger than 1cm

Materials properties: 1.65 eV semiconductor, anisotropic 2D material

Crystal structure: Orthorhombic

Unit cell parameters: a = 1.453, b = 0.365nm, c= 0.435 nm, α = β = γ =90⁰

Growth method: Flux zone (guaranteed no halide contamination)

                               [On request: chemical vapor transport (CVT) contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides]

Purity: 99.9999% confirmed

For the cases of Tin Sulfide (SnS), Tin Selenide (SnSe) and Germanium Sulphide (GeS), high quality bulk crystals are required for series of experiments. There are reports with different experimental results for these crystals indicating that products differ with respect to the company that develops them. We have preliminary results using crystals from “2D semiconductors” and for consistency we would like to purchase from the same company.

Tungsten Disulfide (WS₂), item:1 

Typical characteristics of WS2 crystals from 2Dsemiconductors

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 2.02 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.317nm, c= 1.230 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halidesPurity: 99.9999% confirmed

Purity: 99.9999% confirmed

Tungsten Diselenide (WSe₂), item:1 

Characteristics of WSe2 crystals from 2Dsemiconductors USA

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 1.62 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.331nm, c= 1.298 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides

Purity: 99.9999% confirmed

h-BN (Large size), item:1 

The properties of large size h-BN crystals

Sample size: Contains 3-4 crystals. Each measure < 5mm in size

Materials properties: 2D dielectric / insulator

Production method: Epitaxial solidification technique

Characterization method: SIMS, XRD, EDS, Raman (see product images)

For the cases of WS₂, WSe₂ and h-BN crystals, adding to consistency which is important to our experiments as we stated before, we would like to acquire crystals grown with flux zone method. We want to study the communication between flake of different crystals and it is reported that this phenomenon is more likely to happen for crystals grown with the referred method. “2D Semiconductors” offer high quality flux zone crystals that we think will be the optimal choice for our experiments.  

Contact Persons